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THGBM5G5A1JBA1Rのフラッシュ・メモリの破片、BGA-153 4gb否定論履積のフラッシュ・メモリの新しい元の貯蔵

THGBM5G5A1JBA1R Flash Memory Chip , BGA-153 4gb Nand Flash Memory New Original Storage
THGBM5G5A1JBA1R Flash Memory Chip , BGA-153 4gb Nand Flash Memory New Original Storage THGBM5G5A1JBA1R Flash Memory Chip , BGA-153 4gb Nand Flash Memory New Original Storage THGBM5G5A1JBA1R Flash Memory Chip , BGA-153 4gb Nand Flash Memory New Original Storage
基本情報
証明: Original Parts
モデル番号: THGBM5G5A1JBA1R
最小注文数量: 1 部分
価格: Negotiation
パッケージの詳細: 10cm x 10cm x 5cm
受渡し時間: 3-5 日
支払条件: T/T、PayPal、ウェスタン・ユニオン、条件付捺印証書および他
供給の能力: 1ヶ月あたりの500-2000pcs
ベストプライス 接触
詳細情報
モデル番号: THGBM5G5A1JBA1R 製品: 記憶貯蔵
密度: 4グラム 使用: モバイル
PKG: BGA153 温度: 25°C | 85°C
電圧: 2.7 V | 3.6 ボルト 速度: 200MHz
ハイライト:

否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリ

,

フラッシュ・メモリ IC の破片

製品の説明

フラッシュメモリチップ 、 THGBM5G5A1JBA1RメモリBGA-153 4GB NAND フラッシュ新旧ストレージ

説明：

24nm 128G THGBM4TODBGAIJ
64G THGBM4G9D8GBAII
32G THGBM4G8D4GBAIE
16G THGBM4G7D2GBAIE
8G THGBM4G6D2GBAIR
4G THGBM4G5D1HBAIR
2G THGBM4G4D1HBAIR
19NM 16G THGBM6G7T2JBAIM PRIME
8G THGBM6G6T1JBAIR
32G THGBM5G8A4JBAIM プレミアム
16G THGBM5G7A2JBAIM
8G THGBM5G6A2JBAIR
4G THGBM5G5A1JBAIR
128G 研究中の 最高
64G THGBM5G9B8JBAIM
32G THGBM5G8B4JBAIM
16G THGBM5G7B2JBAIM

特徴：

タグ:

flash memory ic chip,

nand type flash memory,

flash memory controller chip

連絡先の詳細
Karen.
多く フラッシュ・メモリの破片
MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND ICのRAMの高速フラッシュ・メモリの破片2Gの平行166MHZ

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接触
Mt29f2g08abaeah4それE IC 2gbの平行否定論履積のフラッシュ・メモリ63vfbga 2.7 V | 3.6ボルト

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接触
TC58NVG0S3HBAI4フラッシュ・メモリの破片、ICの抜け目がない貯蔵の破片1Gの平行63TFBGA

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接触
低い電力のフラッシュ・メモリICの破片64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 IC SDRAM DDR2

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接触
K9F5608UOD-PCBO否定論履積のフラッシュのコントローラ チップ32M x 8ビット16M x 16ビット否定論履積フラッシュ・メモリ

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接触
HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60

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接触
MX30LF1208AA-XKI IC取り外し可能な512mb否定論履積のフラッシュ・メモリ モジュールの平行63vfbga

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接触
MX30LF2G18AC-XKI ICの平行否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリの証券業界2g 63vfbga

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接触