| 証明: | Original Parts |
|---|---|
| モデル番号: | TC58NVG0S3HBAI4 |
| 最小注文数量: | 1 部分 |
| 価格: | Negotiation |
| パッケージの詳細: | 10cm x 10cm x 5cm |
| 受渡し時間: | 3-5 日 |
| 支払条件: | T/T、PayPal、ウェスタン・ユニオン、条件付捺印証書および他 |
| 供給の能力: | 1ヶ月あたりの500-2000pcs |
| 項目 Numbe: | TC58NVG0S3HBAI4 | 密度: | 1Gb （128M x 8） |
|---|---|---|---|
| 製品カテゴリ: | 記憶及びフラッシュ・メモリ | 記憶インターフェイス: | 平行 |
| ボルト。: | 2.7 V | 3.6 ボルト | 技術: | フラッシュ-否定論履積（TLC） |
| 臨時雇用者。: | -40°C | 85°C （TA） | パッケージ: | BGA63 |
| ハイライト: | フラッシュ・メモリ IC の破片,フラッシュ・メモリのコントローラ チップ |
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フラッシュ・メモリの破片TC58NVG0S3HBAI4 ICのフラッシュ1Gの平行63TFBGA
| 部門 | 集積回路(ICs) | |
|---|---|---|
| 記憶 | ||
| 製造業者 | Toshiba Memory America、Inc。 | |
| シリーズ | - | |
| 包装 | 皿 | |
| 部分の状態 | 活動的 | |
| 記憶タイプ | 不揮発性 | |
| 記憶フォーマット | フラッシュ | |
| 技術 | フラッシュ-否定論履積（SLC） | |
| 記憶容量 | 1Gb （128M x 8） | |
| 周期にタイムの単語、ページを書いて下さい | 25ns | |
| アクセス時間 | 25ns | |
| 記憶インターフェイス | 平行 | |
| 電圧-供給 | 2.7 V | 3.6ボルト | |
| 実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
| 土台のタイプ | 表面の台紙 | |
| パッケージ/場合 | 63-VFBGA | |
| 製造者装置パッケージ | 63-TFBGA （9x11） |
特徴:
