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H5TQ4G63CFR-RDCのドラムのメモリー チップ256MX16 CMOS PBGA96の表面の台紙の高性能

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H5TQ4G63CFR-RDCのドラムのメモリー チップ256MX16 CMOS PBGA96の表面の台紙の高性能

中国 H5TQ4G63CFR-RDCのドラムのメモリー チップ256MX16 CMOS PBGA96の表面の台紙の高性能 サプライヤー

大画像 :  H5TQ4G63CFR-RDCのドラムのメモリー チップ256MX16 CMOS PBGA96の表面の台紙の高性能

商品の詳細:

証明: ORIGINAL PARTS
モデル番号: H5TQ4G63CFR-RDC

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最小注文数量: 1 個のパッケージ
価格: Negotiation
パッケージの詳細: 皿のパッケージ、1600/box
受渡し時間: 3-5 日
支払条件: T/T、PayPal、ウェスタン・ユニオン、条件付捺印証書および他
供給の能力: 1ヶ月あたりの10K
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詳細製品概要
項目No。: H5TQ4G63CFR-RDC 記憶ICタイプ: DDRのドラム
アクセス・モード: 多銀行ページの破烈 パッケージ: R-PBGA-B96
記憶幅: 16 マウント: 表面実装

ドラムのメモリー チップH5TQ4G63CFR-RDC DDRのドラム、256MX16、CMOS、PBGA96
 
H5TQ4G63は理想的に主記憶操置適用に適する大きい記録密度および高い帯域幅を要求する4,294,967,296ビットCMOS倍のデータ転送速度III (DDR3)の同期ドラム、です。時計の落ちる上がり、端に参照されるSK Hynix 4Gb DDR3 SDRAMsの提供の十分に同期動作。すべての住所および操作量がCK (CKの落ちる端)の上昇端で掛け金を降ろされる間、データ、データ ストロボはおよび入力がそれの落ちる上がり、端で見本抽出されるデータ マスクを書きます。データ・パスは内部的に導管で送られ、非常に高い帯域幅を達成するために8ビットはprefetched。
 

特徴

  • VDD=VDDQ=1.5V +/- 0.075V
  • 十分に差動クロックの入力(CK、CK)操作
  • 差動データ ストロボ(DQS、DQS)
  • 破片DLLでCKの転移とDQ、DQSおよびDQSの転移を一直線に並べて下さい
  • DMのマスクはデータ ストロボの落ちる上がり、端でデータで書きます
  • 時計の上昇端で掛け金を降ろされるデータ、データ ストロボおよびデータ マスクを除くすべての住所そして操作量
  • プログラム可能なCASの潜伏5、6、7、8、9、10、11、13および支えられる14
  • 支えられるプログラム可能な付加的な潜伏0、CL-1およびCL2
  • プログラム可能なCASは潜伏(CWL)を= 5、6、7、8 9および10書きます
  • 順次少量およびインターリーブ モード両方のプログラム可能な破烈の長さ4/8
  • 忙しいBLスイッチ
  • 8banks
  • 平均によっては周期(0°C~ 95°C)のTcaseが新たになります
    • 0°C | 85°Cの7.8のµs
    • 85°C | 95°C商業の3.9のµs温度(0°C | 95°C)産業温度(-40°C | 95°C)
  • JEDEC標準的な78ball FBGA (x8)、96ball FBGA (x16)
  • EMRSによって選ばれる運転者の強さ
  • 動的終了は支えられる死にます
  • 支えられる非同期調整ピン
  • 支えられるZQの口径測定
  • 支えられるTDQS (終了データ ストロボ) (x8だけ)
  • Levelizationを支えました書いて下さい
  • 8ビット先取り

技術的な属性

 
 
 
 
 

ECCN/UNSPSC

 
 

連絡先の詳細
Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

コンタクトパーソン: Karen.

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