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フラッシュ・メモリの破片

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フラッシュ・メモリの破片

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中国 THGBM5G5A1JBA1Rのフラッシュ・メモリの破片、BGA-153 4gb否定論履積のフラッシュ・メモリの新しい元の貯蔵 工場

THGBM5G5A1JBA1Rのフラッシュ・メモリの破片、BGA-153 4gb否定論履積のフラッシュ・メモリの新しい元の貯蔵

フラッシュメモリチップ 、 THGBM5G5A1JBA1RメモリBGA-153 4GB NAND フラッシュ新旧ストレージ 説明: 24nm 128G THGBM4TODBGAIJ 64G THGBM4G9D8GBAII 32G THGBM4G8D4GBAIE 16G THGBM4G7D2GBAIE ... Read More
2018-09-26 16:51:00
中国 MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND ICのRAMの高速フラッシュ・メモリの破片2Gの平行166MHZ 工場

MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND ICのRAMの高速フラッシュ・メモリの破片2Gの平行166MHZ

フラッシュ・メモリの破片MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND ICのフラッシュのRAM 2Gの平行 166MHZ 部分 MT29C2G48MAKLCJI-6それ 部門 集積回路(ICs) タイトル 記憶集積回路の(ics)のフラッシュ-否定論履積の移動式LPDRAMの皿1.7 V | 1... Read More
2018-09-26 17:00:51
中国 Mt29f2g08abaeah4それE IC 2gbの平行否定論履積のフラッシュ・メモリ63vfbga 2.7 V | 3.6ボルト 工場

Mt29f2g08abaeah4それE IC 2gbの平行否定論履積のフラッシュ・メモリ63vfbga 2.7 V | 3.6ボルト

フラッシュ・メモリの破片MX30LF1208AA-XKI IC否定論履積のフラッシュ512M平行63VFBGA プロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN (米国) 3A991.b.1.a 細胞のタイプ SLC否定論履積 破片密度(かまれる) 2G 建築 Sectored ブート ブロック ... Read More
2018-09-26 16:56:17
中国 TC58NVG0S3HBAI4フラッシュ・メモリの破片、ICの抜け目がない貯蔵の破片1Gの平行63TFBGA 工場

TC58NVG0S3HBAI4フラッシュ・メモリの破片、ICの抜け目がない貯蔵の破片1Gの平行63TFBGA

フラッシュ・メモリの破片TC58NVG0S3HBAI4 ICのフラッシュ1Gの平行63TFBGA 部門 集積回路(ICs) 記憶 製造業者 Toshiba Memory America、Inc。 シリーズ - 包装 皿 部分の状態 活動的 記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット フラッシュ 技術 フ... Read More
2018-09-26 16:31:56
中国 低い電力のフラッシュ・メモリICの破片64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 IC SDRAM DDR2 工場

低い電力のフラッシュ・メモリICの破片64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 IC SDRAM DDR2

フラッシュ・メモリの破片W971GG6JB-18のIC SDRAM DDR2 64Mx16のメモリー チップBGA84 特徴 タイプ DDR2 SDRAM 構成 x16 速度 1066 MT/s 電圧 1.8 V パッケージ WBGA-84 W971GG6JBは8,388,608ワードとしてXつを組... Read More
2018-09-26 16:29:19
中国 K9F5608UOD-PCBO否定論履積のフラッシュのコントローラ チップ32M x 8ビット16M x 16ビット否定論履積フラッシュ・メモリ 工場

K9F5608UOD-PCBO否定論履積のフラッシュのコントローラ チップ32M x 8ビット16M x 16ビット否定論履積フラッシュ・メモリ

Memorryの抜け目がない破片K9F5608UOD-PCBO 32M x 8ビット16M x 16ビット否定論履積フラッシュ・メモリ 特徴: Read More
2018-09-26 16:37:21
中国 HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60 工場

HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60

フラッシュ・メモリの破片HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラム、128MX8、0.4ns、CMOS、PBGA60 特徴 VDD = 1.8 +/- 0.1V•VDDQ = 1.8 +/- 0.1V すべての入出力はSSTL_18インターフェイスと互換性があります 8つの銀行 十分に差動クロ... Read More
2018-09-26 17:02:43
中国 MX30LF1208AA-XKI IC取り外し可能な512mb否定論履積のフラッシュ・メモリ モジュールの平行63vfbga 工場

MX30LF1208AA-XKI IC取り外し可能な512mb否定論履積のフラッシュ・メモリ モジュールの平行63vfbga

フラッシュ・メモリの破片MX30LF1208AA-XKI IC否定論履積のフラッシュ512M平行63VFBGA 基本的な記述: MX30LFシリーズ3.6 V 512 Mbit (64 M X 8ビット)否定論履積フラッシュ・メモリ- VFBGA-63 Mfr Part#:MX30LF1208AA... Read More
2018-09-26 16:40:54
中国 MX30LF2G18AC-XKI ICの平行否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリの証券業界2g 63vfbga 工場

MX30LF2G18AC-XKI ICの平行否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリの証券業界2g 63vfbga

フラッシュ・メモリの破片MX30LF2G18AC-XKI IC否定論履積のフラッシュ2Gの平行63VFBGA MX30LFxシリーズ2 GB (256のM X 8) 3.6ボルトの表面の台紙否定論履積のフラッシュ・メモリ- VFBGA-63 Mfr Part#:MX30LF2G18AC-XKI 土台... Read More
2018-09-26 16:53:22
中国 TC58BYG1S3HBAI6高容量のフラッシュ・メモリの破片、2gb否定論履積のフラッシュ ドライブ67VFBGA 工場

TC58BYG1S3HBAI6高容量のフラッシュ・メモリの破片、2gb否定論履積のフラッシュ ドライブ67VFBGA

フラッシュ・メモリの破片TC58BYG1S3HBAI6 ICのフラッシュ2Gの平行67VFBGA 彼はTC58BYG1S3HBAI6消去可能な単一1.8V 2 Gbit (2,214,592,512ビット)否定論履積および(2048年+ 64)バイトの× 64のページの× 2048blocksとして... Read More
2018-09-26 17:05:35
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