品目番号: | H9HCNNNBUUMLHR | パッケージ: | BGA200 |
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Org。: | X16 | 密度: | 16ギガバイト |
Vol.:: | 1.8V-1.1V-1.1V | 速度: | L |
ハイライト: | ダイナミックRAM,ランダム アクセス メモリIC |
ドラムのメモリー チップのドラムのメモリー チップH9HCNNNBUUMLHR 16Gb LPDDR4 BGA200のメモリー チップの貯蔵
指定
特徴
·VDD1 = 1.8V (1.7Vへの1.95V)
·VDD2、VDDCAおよびVDDQ = 1.1V (1.06に1.17)
·VSSQによって終えられるDQは信号を送ります(DQ、DQS_t、DQS_c、DMI)
·命令および住所のための単一のデータ転送速度の建築;
- すべての制御および住所は時計の上昇端で掛け金を降ろしました
·データ・バスのための二重データ転送速度の建築;
- 時計サイクルごとの2データ・アクセス
·差動クロックの入力(CK_t、CK_c)
·二方向の差動データ ストロボ(DQS_t、DQS_c)
- 源同期データ トランザクションは二方向の差動データ ストロボ(DQS_t、DQS_c)に一直線に並びました
·DMIピン サポートはのための覆うデータおよびDBIdcの機能性を書きます
·プログラム可能なRL (読まれた潜伏)およびWL (潜伏を書いて下さい)
·破烈の長さ:16 (デフォルト)、32および忙しい
- 忙しいモードは夫人によって可能にされます
·自動車は新たになり、自己は支えられて新たになります
·すべては銀行自動車1台あたりに自動車を新たになり、指示しました新たになります支えられて取引します
·自動TCSR (温度によって償われる自己は新たになります)
·銀行マスクおよび区分のマスクによるPASR (部分的な配列の自己は新たになります)
·背景ZQの口径測定
部品番号。 | 洞穴。 | Org。 | Vol. | 速度 | 力 | PKG | プロダクト状態 |
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H9HCNNNBUUMLHR | 16Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 200 | 大量生産 |
H9HKNNNBTUMUAR | 16Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 272 | 大量生産 |
H9HKNNNBTUMUBR | 16Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 366 | 大量生産 |
H9HKNNNDGUMUAR | 24Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 272 | 大量生産 |
H9HKNNNDGUMUBR | 24Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L / M | 低い電力 | 366 | 大量生産 |
H9HKNNNCTUMUAR | 32Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 272 | 大量生産 |
H9HKNNNCTUMUBR | 32Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L / M | 低い電力 | 366 | 大量生産 |