| 証明: | Original Parts |
|---|---|
| モデル番号: | H9HCNNNBUUMLHR |
| 最小注文数量: | 1 個のパッケージ |
| 価格: | Negotiation |
| パッケージの詳細: | 10cm x 10cm x 5cm |
| 受渡し時間: | 3-5 日 |
| 支払条件: | T/T、PayPal、ウェスタン・ユニオン、条件付捺印証書および他 |
| 供給の能力: | 1 ヶ月あたりの 6000pcs |
| 品目番号: | H9HCNNNBUUMLHR | パッケージ: | BGA200 |
|---|---|---|---|
| Org。: | X16 | 密度: | 16ギガバイト |
| Vol.:: | 1.8V-1.1V-1.1V | 速度: | L |
| ハイライト: | ダイナミックRAM,ランダム アクセス メモリIC |
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ドラムのメモリー チップのドラムのメモリー チップH9HCNNNBUUMLHR 16Gb LPDDR4 BGA200のメモリー チップの貯蔵
指定
特徴
·VDD1 = 1.8V （1.7Vへの1.95V）
·VDD2、VDDCAおよびVDDQ = 1.1V （1.06に1.17）
·VSSQによって終えられるDQは信号を送ります（DQ、DQS_t、DQS_c、DMI）
·命令および住所のための単一のデータ転送速度の建築;
- すべての制御および住所は時計の上昇端で掛け金を降ろしました
·データ・バスのための二重データ転送速度の建築;
- 時計サイクルごとの2データ・アクセス
·差動クロックの入力（CK_t、CK_c）
·二方向の差動データ ストロボ（DQS_t、DQS_c）
- 源同期データ トランザクションは二方向の差動データ ストロボ（DQS_t、DQS_c）に一直線に並びました
·DMIピン サポートはのための覆うデータおよびDBIdcの機能性を書きます
·プログラム可能なRL （読まれた潜伏）およびWL （潜伏を書いて下さい）
·破烈の長さ:16 （デフォルト）、32および忙しい
- 忙しいモードは夫人によって可能にされます
·自動車は新たになり、自己は支えられて新たになります
·すべては銀行自動車1台あたりに自動車を新たになり、指示しました新たになります支えられて取引します
·自動TCSR （温度によって償われる自己は新たになります）
·銀行マスクおよび区分のマスクによるPASR （部分的な配列の自己は新たになります）
·背景ZQの口径測定
| 部品番号。
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洞穴。
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Org。
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Vol.
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速度
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力
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PKG
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プロダクト状態
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H9HCNNNBUUMLHR | 16Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 200 | 大量生産 |
| H9HKNNNBTUMUAR | 16Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 272 | 大量生産 |
| H9HKNNNBTUMUBR | 16Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 366 | 大量生産 |
| H9HKNNNDGUMUAR | 24Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 272 | 大量生産 |
| H9HKNNNDGUMUBR | 24Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L / M | 低い電力 | 366 | 大量生産 |
| H9HKNNNCTUMUAR | 32Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L | 低い電力 | 272 | 大量生産 |
| H9HKNNNCTUMUBR | 32Gb | x16 | 1.8V-1.1V-1.1V | L / M | 低い電力 | 366 | 大量生産 |
