HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60

フラッシュ・メモリの破片HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラム、128MX8、0.4ns、CMOS、PBGA60

特徴

• VDD = 1.8 +/- 0.1V•VDDQ = 1.8 +/- 0.1V
• すべての入出力はSSTL_18インターフェイスと互換性があります
• 8つの銀行
• 十分に差動クロックの入力（CK、/CK）操作
• 二重データ転送速度インターフェイス
• 源同期データ トランザクションは二方向データ ストロボ（DQS、/DQS）に一直線に並びました
• 差動データ ストロボ（DQS、/DQS）
• 読まれた場合DQSのデータ出力、/DQSの端（研がれたDQ）
• 書きなさい場合のDQSの中心のデータ入力（集中させたDQ）
• 破片DLLでCKの転移とDQ、DQSおよび/DQSの転移を一直線に並べて下さい
• DMのマスクはデータ ストロボの落ちる上がり、端でデータで書きます
• 時計の上昇端で掛け金を降ろされるデータ、データ ストロボおよびデータ マスクを除くすべての住所そして操作量
• プログラム可能なCASの潜伏3、4、5および支えられる6
• プログラム可能な付加的な潜伏0、1、2、3、4および支えられる5
• 順次少量およびインターリーブ モード両方のプログラム可能な破烈の長さ4/8
• 内部8つは単一の脈打ったRASの操作を取引します
• 自動車は新たになり、自己は支えられて新たになります
• 支えられるtRAS閉鎖
• 8Kによっては周期/64msが新たになります
• JEDEC標準的な60ball FBGA （x4/x8）、84ball FBGA （x16）
• EMRによって制御される完全な強さの運転者の選択
• で終了は支えられる死にます
• 支えられる破片の運転者のインピーダンス調節を離れて
• 支えられるデータ ストロボを読んで下さい（x8だけ）
• 高温記入項目を自己新たになって下さい

• このプロダクトはRoHSの指導的な関係に従ってあります。

特徴: