| 証明: | Original Parts |
|---|---|
| モデル番号: | IS61WV25616BLL-10TLI |
| 最小注文数量: | 1 部分 |
| 価格: | Negotiation |
| パッケージの詳細: | 10cm x 10cm x 5cm |
| 受渡し時間: | 3-5 日 |
| 支払条件: | T/T、PayPal、ウェスタン・ユニオン、条件付捺印証書および他 |
| 供給の能力: | 1ヶ月あたりの500-2000pcs |
| 項目No。: | IS61WV25616BLL-10TLI | 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM | メモリサイズ: | メモリサイズ |
| ハイライト: | 集積回路IC,電子 IC の破片 |
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ICチップSRAM IS61WV25616BLL-10TLIメモリICチップ - 非同期メモリIC 4Mbパラレル10ns TSOP44
特徴：
ハイスピード：（IS61 / 64WV25616ALL / BLL）
•高速アクセス時間：8,10,20 ns
•低アクティブ電力：85 mW（標準）
•低スタンバイ電力：7mW（標準）CMOSスタンバイ
低電力：（IS61 / 64WV25616ALS / BLS）
•高速アクセス時間：25,35,45 ns
•低アクティブ電力：35 mW（標準）
•低スタンバイ電力：0.6mW（標準）CMOSスタンバイ
•単一電源
- V DD 1.65V〜2.2V（IS61WV25616Axx）
- V DD 2.4V〜3.6V（IS61 / 64WV25616Bxx）
完全に静的な動作：クロックやリフレッシュは不要
•3つの状態出力
•上位バイトと下位バイトのデータ制御
•工業用および自動車用温度のサポート
•鉛フリー
DESCRIPTION
ISSI IS61WV25616Axx / BxxおよびIS64WV25616Bxx
262,144ワード×16ビットで構成された4,194,304ビットのスタティックRAMです。 ISSIの高性能CMOS技術を使用して製造されています。 この信頼性の高いプロセスは、革新的な回路設計技術と相まって、
高性能で低消費電力のデバイスが得られます。
CEがHIGH（選択解除）の場合、デバイスはCMOS入力レベルで消費電力を低減できるスタンバイモードを想定しています。
Chip EnableおよびOutput Enable入力、 CEおよびOEを使用することで、簡単にメモリを拡張できます。 アクティブLOWライトイネーブル（ WE ）は、メモリの書き込みと読み出しの両方を制御します。 データバイトは、Upper Byte（ UB ）とLower Byte（ LB ）アクセスを許可します。
IS61WV25616Axx / BxxおよびIS64WV25616Bxxは、JEDECの標準44ピンTSOPタイプIIおよび48ピンMini BGA（6mm x 8mm）パッケージで提供されています。
DC電気的特性 （動作範囲を超えて）
| シンボル | パラメータ | 試験条件 | Min。 | マックス | 単位 |
| V OH | 出力高電圧 | V DD =最小、I OH = -4.0mA | 2.4 | - | V |
| V OL | 出力低電圧 | V DD =最小、I OL = 8.0mA | - | 0.4 | V |
| V IH | 高電圧入力 | 2 | V DD + 0.3 | V | |
| V IL | 入力低電圧（1） | -0.3 | 0.8 | V | |
| 私はLI | 入力漏れ | GND£V IN V DD | -1 | 1 | μA |
| 私はLO | 出力リーク | GND、V OUT 、V DD 、ディセーブル出力 | -1 | 1 | μA |
注意：
1.V IL （最小）= -0.3V DC。 V IL （分）= -2.0V AC（パルス幅<10ns）。 100％テストされていません。
V IH （max。）= V DD + 0.3V DC; V IH （最大）= V DD + 2.0V AC（パルス幅<10ns）。 100％テストされていません。
DC電気的特性 （動作範囲を超えて）
| シンボル | パラメータ | 試験条件 | Min。 | マックス | 単位 |
| V OH | 出力高電圧 | V DD = Min、I OH = -1.0mA | 1.8 | - | V |
| V OL | 出力低電圧 | V DD =最小、I OL = 1.0mA | - | 0.4 | V |
| V IH | 高電圧入力 | 2.0 | V DD + 0.3 | V | |
| V IL | 入力低電圧（1） | -0.3 | 0.8 | V | |
| 私はLI | 入力漏れ | GND£V IN V DD | -1 | 1 | μA |
| 私はLO | 出力リーク | GND、V OUT 、V DD 、ディセーブル出力 | -1 | 1 | μA |
注意：
1.V IL （最小）= -0.3V DC。 V IL （分）= -2.0V AC（パルス幅<10ns）。 100％テストされていません。
V IH （max。）= V DD + 0.3V DC; V IH （最大）= V DD + 2.0V AC（パルス幅<10ns）。 100％テストされていません。
DC電気的特性 （動作範囲を超えて）
| シンボル | パラメータ | 試験条件 | V DD | Min。 | マックス | 単位 |
| V OH | 出力高電圧 | I OH = -0.1mA | 1.65-2.2V | 1.4 | - | V |
| V OL | 出力低電圧 | I OL = 0.1mA | 1.65-2.2V | - | 0.2 | V |
| V IH | 高電圧入力 | 1.65-2.2V | 1.4 | V DD + 0.2 | V | |
| VIL（1） | 入力LOW電圧 | 1.65-2.2V | -0.2 | 0.4 | V | |
| 私はLI | 入力漏れ | GND£V IN V DD | -1 | 1 | μA | |
| 私はLO | 出力リーク | GND、V OUT 、V DD 、ディセーブル出力 | -1 | 1 | μA | |
注意：
1.V IL （最小）= -0.3V DC。 V IL （分）= -2.0V AC（パルス幅<10ns）。 100％テストされていません。
V IH （max。）= V DD + 0.3V DC; V IH （最大）= V DD + 2.0V AC（パルス幅<10ns）。 100％テストされていません。
| パラメータ | 単位 | 単位 | 単位 |
| （2.4V〜3.6V） | （3.3V + 10％） | （1.65V-2.2V） | |
| InputPulseLevel | 0V〜3V | 0V〜3V | 0V〜1.8V |
| 入力の立上りおよび立下り時間 | 1V / ns | 1V / ns | 1V / ns |
| InputおよびOutputTimingおよびReferenceLevel（V Ref ） | 1.5V | 1.5V | 0.9V |
| OutputLoad | 図1および図2を参照 | 図1および図2を参照 | 図1および図2を参照 |
