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W631gg6kb-12 ICのドラムの安全な平行フラッシュ・メモリのコントローラ チップ1g 96wbga

W631gg6kb-12 Ic Dram Secure Parallel Flash Memory Controller Chip 1g 96wbga
W631gg6kb-12 Ic Dram Secure Parallel Flash Memory Controller Chip 1g 96wbga
基本情報
証明: Original Parts
モデル番号: W631GG6KB-12
最小注文数量: 1 個のパッケージ
価格: Negotiation
パッケージの詳細: 10cm x 10cm x 5cm
受渡し時間: 3-5 日
支払条件: T/T、PayPal、ウェスタン・ユニオン、条件付捺印証書および他
供給の能力: 1 ヶ月あたりの 6000pcs
ベストプライス 接触
詳細情報
項目 Numbe: W631GG6KB-12 製品カテゴリ: 記憶及びフラッシュ・メモリ
収蔵可能量: 1Gビット（64Mx16） 周波数: 800MHZ
ボルト: 1.425 V | 1.575ボルト 技術: SDRAM - DDR2
臨時雇用者。: 0°C | 85°C （TC） パッケージ: BGA96
ハイライト:

否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリ

,

フラッシュ・メモリ IC の破片

製品の説明

フラッシュ・メモリの破片W631GG6KB-12のICのドラム1Gの平行96WBGA

 

 

W631gg6kb-12 ICのドラムの安全な平行フラッシュ・メモリのコントローラ チップ1g 96wbga 0

DRAMチップDDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96 Pin WBGA

プロダクト技術仕様

EU RoHS 迎合的
ECCN （米国） EAR99
ドラムのタイプ DDR3 SDRAM
破片密度（かまれる） 1G
構成 64Mx16
内部銀行の数 8
銀行ごとの単語の数 8M
ビット/単語の数（かまれる） 16
データ・バス幅（かまれる） 16
最高のクロック レート（MHz） 1600
住所バス幅（かまれる） 16
最低の操作の供給電圧（v） 1.425
典型的な操作の供給電圧（v） 1.5
最高の操作の供給電圧（v） 1.575
動作電流（mA） 280
最低の実用温度（°C） 0
最高使用可能温度（°C） 85
入力/出力の数は並びます（かまれて） 16
製造者のパッケージ WBGA
標準パッケージの名前 BGA
ピン・カウント 96
取付け 表面の台紙
パッケージの高さ 0.8 （最高）
パッケージの長さ 13
パッケージの幅 9
変わるPCB 96
鉛の形 球

 

 

特徴:

W631gg6kb-12 ICのドラムの安全な平行フラッシュ・メモリのコントローラ チップ1g 96wbga 1

W631gg6kb-12 ICのドラムの安全な平行フラッシュ・メモリのコントローラ チップ1g 96wbga 2

W631gg6kb-12 ICのドラムの安全な平行フラッシュ・メモリのコントローラ チップ1g 96wbga 3

 

 

 

 

タグ:

flash memory ic chip,

nand type flash memory,

flash memory controller chip

連絡先の詳細
Karen.
多く フラッシュ・メモリの破片
THGBM5G5A1JBA1Rのフラッシュ・メモリの破片、BGA-153 4gb否定論履積のフラッシュ・メモリの新しい元の貯蔵

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接触
MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND ICのRAMの高速フラッシュ・メモリの破片2Gの平行166MHZ

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接触
Mt29f2g08abaeah4それE IC 2gbの平行否定論履積のフラッシュ・メモリ63vfbga 2.7 V | 3.6ボルト

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接触
TC58NVG0S3HBAI4フラッシュ・メモリの破片、ICの抜け目がない貯蔵の破片1Gの平行63TFBGA

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接触
低い電力のフラッシュ・メモリICの破片64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 IC SDRAM DDR2

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接触
K9F5608UOD-PCBO否定論履積のフラッシュのコントローラ チップ32M x 8ビット16M x 16ビット否定論履積フラッシュ・メモリ

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接触
HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60

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接触
MX30LF1208AA-XKI IC取り外し可能な512mb否定論履積のフラッシュ・メモリ モジュールの平行63vfbga

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