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W9751G6KB-25 ICのドラムの平行のマイクロチップのフラッシュ・メモリ512Mbの企業84WBGA 400MHz

W9751G6KB-25 IC DRAM PARALLEL Microchip Flash Memory 512Mb Industry 84WBGA 400MHz
W9751G6KB-25 IC DRAM PARALLEL Microchip Flash Memory 512Mb Industry 84WBGA 400MHz W9751G6KB-25 IC DRAM PARALLEL Microchip Flash Memory 512Mb Industry 84WBGA 400MHz
基本情報
証明: Original Parts
モデル番号: W9751G6KB-25
最小注文数量: 1 個のパッケージ
価格: Negotiation
パッケージの詳細: 10cm x 10cm x 5cm
受渡し時間: 3-5 日
支払条件: T/T、PayPal、ウェスタン・ユニオン、条件付捺印証書および他
供給の能力: 1 ヶ月あたりの 6000pcs
ベストプライス 接触
詳細情報
項目 Numbe: W9751G6KB-25 製品カテゴリ: 記憶及びフラッシュ・メモリ
収蔵可能量: 512Mb （32M x 16） 周波数: 400MHZ
ボルト: 1.7 V | 1.9ボルト 技術: SDRAM - DDR2
臨時雇用者。: 0°C | 85°C （TC） パッケージ: BGA84
ハイライト:

否定論履積のタイプ フラッシュ・メモリ

,

フラッシュ・メモリ IC の破片

製品の説明

フラッシュ・メモリの破片W9751G6KB-25 ICのドラム512M平行84WBGA

 

プロダクト技術仕様

EU RoHS 迎合的
ECCN （米国） EAR99
ドラムのタイプ DDR2 SDRAM
破片密度（かまれる） 512M
構成 32Mx16
内部銀行の数 4
銀行ごとの単語の数 8M
ビット/単語の数（かまれる） 16
データ・バス幅（かまれる） 16
最高のクロック レート（MHz） 800
最高のアクセス時間（ns） 0.4
住所バス幅（かまれる） 15
インターフェイスの種類 SSTL_18
最低の操作の供給電圧（v） 1.7
典型的な操作の供給電圧（v） 1.8
最高の操作の供給電圧（v） 1.9
動作電流（mA） 165
最低の実用温度（°C） 0
最高使用可能温度（°C） 85
入力/出力の数は並びます（かまれて） 16
ピン・カウント 84
製造者のパッケージ WBGA
取付け 表面の台紙
パッケージの高さ 0.8 （最高）
パッケージの長さ 12.5
パッケージの幅 8
変わるPCB 84

 

特徴:

 

W9751G6KB-25 ICのドラムの平行のマイクロチップのフラッシュ・メモリ512Mbの企業84WBGA 400MHz 0

W9751G6KB-25 ICのドラムの平行のマイクロチップのフラッシュ・メモリ512Mbの企業84WBGA 400MHz 1

 

 

 

 

 

タグ:

flash memory ic chip,

nand type flash memory,

flash memory controller chip

連絡先の詳細
Karen.
多く フラッシュ・メモリの破片
THGBM5G5A1JBA1Rのフラッシュ・メモリの破片、BGA-153 4gb否定論履積のフラッシュ・メモリの新しい元の貯蔵

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接触
MT29C2G48MAKLCJI-6IT-ND ICのRAMの高速フラッシュ・メモリの破片2Gの平行166MHZ

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接触
Mt29f2g08abaeah4それE IC 2gbの平行否定論履積のフラッシュ・メモリ63vfbga 2.7 V | 3.6ボルト

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接触
TC58NVG0S3HBAI4フラッシュ・メモリの破片、ICの抜け目がない貯蔵の破片1Gの平行63TFBGA

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接触
低い電力のフラッシュ・メモリICの破片64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 IC SDRAM DDR2

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接触
K9F5608UOD-PCBO否定論履積のフラッシュのコントローラ チップ32M x 8ビット16M x 16ビット否定論履積フラッシュ・メモリ

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接触
HY5PS1G831CFP-S6 DDRのドラムの移動式フラッシュ・メモリの破片128MX8 0.4ns CMOS PBGA60

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接触
MX30LF1208AA-XKI IC取り外し可能な512mb否定論履積のフラッシュ・メモリ モジュールの平行63vfbga

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接触