| 項目No。: | H5TC4G63CFR-PBAR | 記憶幅: | 16 |
|---|---|---|---|
| 記録密度: | 四ギガバイト | パッケージ: | PBGA-96 |
| 記憶IC TypeLE: | ドラム モジュール | ||
| ハイライト: | ダイナミックRAM,ランダム アクセス メモリIC |
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| Mfrのパッケージの記述 | FBGA-96 |
| 迎合的な範囲 | はい |
| 迎合的なEU RoHS | はい |
| 迎合的な中国RoHS | はい |
| 状態 | 活動的 |
| アクセス・モード | 多銀行ページの破烈 |
| JESD-30コード | R-PBGA-B96 |
| 記録密度 | 4.294967296E9ビット |
| 記憶ICタイプ | ドラム モジュール |
| 記憶幅 | 16 |
| 機能の数 | 1 |
| 港の数 | 1 |
| ターミナルの数 | 96 |
| 単語の数 | 2.68435456E8単語 |
| 文字暗語の数 | 256M |
| オペレーティング・モード | 同期 |
| 作動温度分 | 0.0 Cel |
| 温度最高作動 | 85.0 Cel |
| 構成 | 256MX16 |
| パッケージ ボディ材料 | PLASTIC/EPOXY |
| パッケージ コード | TFBGA |
| パッケージの形 | 長方形 |
| パッケージ様式 | 格子配列、薄いプロフィール、罰金ピッチ |
| ピーク退潮の温度(Cel) | 260 |
| つけられていた高さ最高 | 1.2 mm |
| 供給の電圧Nom (Vsup) | 1.35 V |
| 供給電圧分(Vsup) | 1.283 V |
| 電圧最高供給(Vsup) | 1.45 V |
| 表面の台紙 | はい |
| 技術 | CMOS |
| 温度の等級 | 他 |
| 末端の形態 | 球 |
| 末端ピッチ | 0.8 mm |
| 末端の位置 | 底 |
| 温度最高Time@Peakの退潮(s) | 20 |
| 長さ | 13.0 mm |
| 幅 | 7.5 mm |
| 付加的な特徴 | AUTO/SELFは新たになります |